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J-GLOBAL ID：200903018849046855

プラズマ制御方法およびプラズマ処理装置

Inventor： 木崎原 稔郎 ,  小島 明 ,  加藤 泰司 ,  本堀 勲 ,  坂内 敏 ,  千葉 智博 ,  河嶋 利孝
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994234815
Publication number (International publication number)：1996045699
Application date： Sep. 29, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ内のイオンや電子の方向を制御できるプラズマ制御方法およびプラズマ処理装置を提供すること。【構成】 本発明は、処理室1のプラズマ13の雰囲気内で被処理体10の表面に対して垂直な方向に電界EV を発生させるとともにその表面に対して水平な方向に電界EH を発生させ、その合成電界EC に基づきプラズマ13内のイオンや電子の方向を制御するプラズマ制御方法である。また、被処理体10の表面に対して垂直な方向に電界EV を与える垂直電界発生手段と、被処理体10の表面に対して水平な方向に電界EH を与える水平電界発生手段とを備えたプラズマ処理装置でもある。

Claim (excerpt)：

被処理体が配置される処理室内にプラズマを発生させた状態で該プラズマ内のイオンや電子の方向を制御するプラズマ制御方法であって、前記被処理体の表面に対して垂直な方向に電界を発生させるとともに該表面に対して水平な方向に電界を発生させ、各々の方向の合成電界に基づき前記イオンや電子の方向を制御することを特徴とするプラズマ制御方法。

IPC (10)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/32 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-167400
  
• 特開昭63-283024
  
• 基体処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-191179   Applicant：株式会社東芝
• プラズマ生成装置、表面処理装置および表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-051117   Applicant：株式会社東芝