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J-GLOBAL ID：200903018947588321

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
若林 猛

About 若林 猛

, 
桑原 治

About 桑原 治


Applicant, Patent owner：
株式会社アイ・イー・ピー・テクノロジーズ

About 株式会社アイ・イー・ピー・テクノロジーズ


Agent (1)： 鹿嶋 英實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000147245
Publication number (International publication number)：2001332643
Application date： May. 19, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 信頼性を向上させつつマルチチップモジュール化することができる半導体装置およびその製造方法を実現する。【解決手段】 ウエハ1-1〜1-3の背面側に裏面側保護膜11を形成してから個片化し、これら個片化された半導体チップA,B,Cをマルチチップモジュールとなるよう並び替えた後、このモジュールの表面および側面を覆うと共に、チップ間隙を充填する第1の表面側保護膜3を形成し、続いて再配線5、ポスト6および第2の表面側保護膜7を設けた後、切断面に所定厚の表面保護膜3が残るようにカットラインCLに沿って再度ダイシングしてマルチチップモジュール化された半導体装置10を形成するので、半導体装置10は背面、表面および側面が全て保護膜3,11で覆われ、これにより信頼性が向上する。
Claim (excerpt)：
個片化された複数個のウエハの半導体チップを一組としたチップモジュールから構成され、前記チップモジュールは、背面を覆う第1の保護膜と、表面およびモジュール毎に個片切断される時の切断面を覆うように形成された第2の保護膜とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/52 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18
FI (3)：
H01L 23/12 L ,  H01L 23/52 D ,  H01L 25/04 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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