半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998065761
Publication number (International publication number)：1999103057
Application date： Mar. 16, 1998
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、携帯用機器のスイッチング素子としても使用でき、低耐圧と低オン抵抗の実現を図る。【解決手段】多結晶半導体層10の左右又は上下を絶縁膜8を介してゲート電極9に挟まれてなる半導体装置であって、前記多結晶半導体層は、両端が中央部よりも高濃度に不純物を含有して夫々ソース領域6及びドレイン領域7を形成し、前記中央部がチャネル領域5を形成する半導体装置。

Claim (excerpt)：

平板形状を有し、両端が中央部よりも高濃度に不純物を含有して夫々ソース領域及びドレイン領域を形成し、前記中央部がチャネル領域を形成する第1の多結晶半導体層と、前記第1の多結晶半導体層の中央部を両面から夫々絶縁膜を介して挟む複数のゲート電極と、前記ソース領域に形成されたソース電極と、前記ドレイン領域に形成されたドレイン電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786

FI (9)：

H01L 29/78 653 A , H01L 27/08 331 E , H01L 27/08 102 E , H01L 29/78 301 V , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/78 618 F , H01L 29/78 626 A , H01L 29/78 653 D , H01L 29/78 655 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

薄膜トランジスタ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-022072 Applicant：セイコー電子工業株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-180950 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
絶縁ゲート型半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-070151 Applicant：株式会社東芝

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