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J-GLOBAL ID：200903019201442271

半導体装置の製造方法及び研磨装置

Inventor：
能條 治輝

About 能條 治輝


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995100868
Publication number (International publication number)：1996294861
Application date： Apr. 25, 1995
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 均一な厚さの被研磨膜を得ることができ、また製造効率を向上させることができる半導体装置の製造方法及び研磨装置を提供する。【構成】 一方向に回転する回転定盤13上の研磨クロス15の研磨面15aと、ウェハ保持盤14に回転保持された半導体ウェハ16の被研磨面16aとの摺接部分に、研磨液を研磨液供給管17から供給して化学的機械研磨加工を行い、摺接部分の回転定盤13の回転方向後方側に研磨面15aから研磨加工中に研磨廃液を除去する液排出機構23を備えているので、研磨加工は常に研磨廃液が除去された研磨面15aによって行われることになり、長時間使用しても研磨面15aが目詰まりしないためにポリッシングレートの変化が少なく、また研磨加工を途中で止めずに継続して研磨を行うことができる。
Claim (excerpt)：
一方向に移動するよう設けられた研磨部材の研磨面と半導体ウェハの被研磨面との間に研磨液を供給し、前記研磨面を前記被研磨面に繰り返し摺接させるようにして該被研磨面の研磨加工を行う化学的機械研磨工程を備える半導体装置の製造方法において、研磨加工を行いながら研磨加工で生じた研磨廃液が再度研磨面に到達するのを防止するよう該研磨廃液を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
B24B 37/00 ,  B23H 9/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304
FI (4)：
B24B 37/00 F ,  B23H 9/00 Z ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 研磨装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-116257   Applicant：富士通株式会社
  • ポリッシング方法及び装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-108973   Applicant：株式会社荏原製作所

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