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J-GLOBAL ID：200903019226902765

表面処理方法及び装置

Inventor：
宮下 武

About 宮下 武

, 
浅野 康彦

About 浅野 康彦


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 梅田 明彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998153709
Publication number (International publication number)：1999335868
Application date： May. 20, 1998
Publication date： Dec. 07, 1999
Summary：
【要約】【解決手段】 大気圧またはその近傍の圧力下で所定のガス中に気体放電を生じさせて励起活性種を生成し、該励起活性種を含む処理ガスを被処理物表面付近に送給し、該表面を励起活性種に曝露させて表面処理する過程において、放電領域から送給される処理ガスの流速を、ガス流路内と被処理物付近の雰囲気との圧力差により、又は処理ガスの流路に絞り手段を設けることにより加速する。更に、処理ガスの流路に電動ヒータ等の加熱手段を設けて、被処理物表面付近に送られる処理ガスの温度を高く維持する。【効果】 放電が安定し、より多くの励起活性種が生成され、それらをより短時間で元の安定した状態に戻る前に被処理物表面に到達させることができるので、処理効率が向上し、かつ放電領域と処理部との距離をより長く設定できる。装置設計の自由度が高まり、用途が拡大する。
Claim (excerpt)：
被処理物を表面処理するために、大気圧またはその近傍の圧力下で所定のガス中に気体放電を生じさせることにより前記ガスの励起活性種を生成し、前記励起活性種を含む処理ガスを前記被処理物表面付近に送給して該表面を前記励起活性種に曝露させる過程からなり、送給される前記処理ガスの流速を加速する過程を更に含むことを特徴とする表面処理方法。
IPC (8)：
C23C 26/00 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/24 ,  H05H 1/46
FI (8)：
C23C 26/00 D ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/44 D ,  C23F 4/00 Z ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/24 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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