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J-GLOBAL ID：200903055730360147

表面処理装置およびその表面処理方法

Inventor：
高橋 克弘

About 高橋 克弘


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996266784
Publication number (International publication number)：1998088372
Application date： Sep. 17, 1996
Publication date： Apr. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】 大気圧近傍の圧力下で気体放電を発生させて表面処理を行う表面処理装置において、処理室と排気手段とを接続する排気路の少なくとも一部を加熱することで、被処理体と上記ガスにより反応して生成された副生成物を効率よく除去し、生産性を向上する。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下で気体放電を発生させて表面処理を行う表面処理装置において、処理室18と排気路34の少なくとも一部を加熱することによって、被処理体16と上記ガスにより反応して生成された反応副生成物を気化させることにより、上記反応副生成物の付着を低減し、生産性および装置の信頼性を向上する。
Claim (excerpt)：
気体放電によって生成されるガスの活性種を被処理体に接触させて上記被処理体の表面を処理する装置であって、上記被処理体を配置する処理室と、該処理室に連結され、上記被処理体に向けてガスを供給するガス供給手段と、上記処理室内のガスを排気する排気手段と、大気圧またはその近傍の圧力下で気体放電を発生させる電極と、上記処理室と排気手段とを接続する排気路の少なくとも一部及び上記電極を加熱する加熱手段と、を備えたことを特徴とする表面処理装置。
IPC (5)：
C23F 4/00 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (5)：
C23F 4/00 A ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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