半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009061423
Publication number (International publication number)：2009218600
Application date： Mar. 13, 2009
Publication date： Sep. 24, 2009
Summary：

【課題】一括して処理することの出来る基板の枚数を減らすことなく、隣接する基板間へのガスの供給を促進させることが出来る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】水平姿勢で多段に積層された基板10を処理室4内に搬入する工程と、処理室4の内壁に沿うように基板10の積層方向に延在された1本以上の処理ガス供給ノズル22a,bから処理室4内に処理ガスを供給するとともに、処理室4の内壁に沿うように基板10の積層方向に延在されるとともに基板10の周方向に沿って処理ガス供給ノズル22a,bを両方から挟むように設けられた一対の不活性ガス供給ノズル22c,dから処理室内に不活性ガスを供給して基板10を処理する工程と、処理後の基板を処理室から搬出する工程とを有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

水平姿勢で多段に積層された基板を処理室内に搬入する工程と、前記処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在された1本以上の処理ガス供給ノズルから前記処理室内に処理ガスを供給するとともに、前記処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されるとともに基板の周方向に沿って前記処理ガス供給ノズルを両方から挟むように設けられた一対の不活性ガス供給ノズルから前記処理室内に不活性ガスを供給して基板を処理する工程と、処理後の基板を前記処理室から搬出する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/31 , H01L 21/316 , C23C 16/455

FI (3)：

H01L21/31 B , H01L21/316 X , C23C16/455

F-Term (33)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA04 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030JA05 , 4K030KA04 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AA15 , 5F045AB31 , 5F045AC00 , 5F045AC07 , 5F045AF01 , 5F045BB02 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EF03 , 5F045EF08 , 5F058BA06 , 5F058BC03 , 5F058BF02 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BG02 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-255618
気相成長方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-187610 Applicant：日本酸素株式会社
成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-103340 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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