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J-GLOBAL ID：200903083042820170

成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体

Inventor：
福島 講平

About 福島 講平

, 
佐藤 潤

About 佐藤 潤


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006103340
Publication number (International publication number)：2007281082
Application date： Apr. 04, 2006
Publication date： Oct. 25, 2007
Summary：
【課題】縦型熱処理装置を用いて第1の原料ガスと第2の原料ガスとを交互に供給して基板上に薄膜を成膜するにあたり、膜厚について面内均一性の更なる向上を図ることの技術を提供すること。【解決手段】反応容器内に第1の原料ガスを供給して、当該基板の表面に第1の原料ガスを吸着させ、次いで反応容器内に第1の原料ガスと反応する第2の原料ガスを供給し、こうして反応容器内に供給される原料ガスを第1の原料ガスと第2の原料ガスとの間で複数回切り替える工程において、前記反応容器内に前記第1の原料ガス及び前記第2の原料ガスの少なくとも一方の原料ガスを供給しているときに、前記反応容器内に水素ガスを供給する。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
複数の基板を基板保持具に互いに並列に保持させて反応容器内に搬入し、反応容器内を加熱すると共に処理ガスを供給して基板に対して成膜を行う方法において、 反応容器内に第1の原料ガスを供給して、当該基板の表面に第1の原料ガスを吸着させ、次いで反応容器内に第1の原料ガスと反応する第2の原料ガスを供給し、こうして反応容器内に供給される原料ガスを第1の原料ガスと第2の原料ガスとの間で複数回切り替える工程と、 前記反応容器内に前記第1の原料ガス及び前記第2の原料ガスの少なくとも一方の原料ガスを供給しているときに、前記反応容器内に水素ガスを供給する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
IPC (4)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/42
FI (4)：
H01L21/318 B ,  H01L21/31 C ,  C23C16/455 ,  C23C16/42
F-Term (37)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030EA11 ,  4K030KA04 ,  5F045AA10 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EH12 ,  5F045EM10 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-141045   Applicant：東京エレクトロン株式会社
Cited by examiner (1)

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