結合基板の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：大塚康徳 , 高柳司郎 , 大塚康弘 , 木村秀二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004262966
Publication number (International publication number)：2006080314
Application date： Sep. 09, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】結合基板の製造において、ボイド等の不良の発生を低減するとともに結合強度を高める。【解決手段】結合基板の製造方法は、シリコンを含む結合面を有する第1及び第2基板の少なくとも一方を処理する結合面処理工程と、第1基板の結合面と第2基板の結合面とを結合させる結合工程とを含む。結合面処理工程は、結合面のOH基を増加させるOH基増加工程S100と、OH基が増加した結合面を50°C〜200°Cの範囲内の温度で加熱して水分量を低減する水分量低減工程S120とを含む。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

結合基板の製造方法であって、シリコンを含む結合面を有する第1及び第2基板の少なくとも一方を処理する結合面処理工程と、前記第1基板の結合面と前記第2基板の結合面とを結合させる結合工程とを含み、前記結合面処理工程は、結合面のOH基を増加させるOH基増加工程と、 OH基が増加した結合面を50°C〜200°Cの範囲内の温度で加熱して水分量を低減する水分量低減工程とを含むことを特徴とする結合基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/12 , H01L 21/02

FI (2)：

H01L27/12 B , H01L21/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体部材及び半導体部材の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-194138 Applicant：キヤノン株式会社
薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
貼り合せ基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-119457 Applicant：信越半導体株式会社

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