マスクパターンの補正方法および補正装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995053053
Publication number (International publication number)：1996248614
Application date： Mar. 13, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】設計パターンに近い実際のレジストパターンが得られるように、自動的にマスクパターンを補正することが可能なマスクパターンの補正方法と、その補正方法を実施するための補正装置とを提供すること。【構成】所望の設計パターン32のパターン外周に沿って、複数の評価点30を配置する評価点配置工程と、評価点30が付された設計パターン32のフォトマスクを用いて、所定の転写条件で露光を行った場合に得られる転写イメージをシミュレーションするシミュレーション工程と、シミュレーションされた転写イメージ34と、前記設計パターン32との差を、各評価点30毎に比較する比較工程と、各評価点30毎に比較された差に依存して、当該差が小さくなるように、設計パターン32を変形する変形工程とを有する。

Claim (excerpt)：

フォトリソグラフィー工程で使用するフォトマスクのマスクパターンを、所望の設計パターンに近い転写イメージが得られるように、変形させるマスクパターンの補正方法において、前記所望の設計パターンのパターン外周に沿って、複数の評価点を配置する評価点配置工程と、評価点が付された設計パターンのフォトマスクを用いて、所定の転写条件で露光を行った場合に得られる転写イメージをシミュレーションするシミュレーション工程と、シミュレーションされた転写イメージと、前記設計パターンとの差を、前記各評価点毎に比較する比較工程と、前記各評価点毎に比較された差に依存して、当該差が小さくなるように、前記設計パターンを変形する変形工程とを有するマスクパターンの補正方法。

IPC (3)：

G03F 1/00 , G03F 1/16 , H01L 21/027

FI (5)：

G03F 1/00 Y , G03F 1/00 P , G03F 1/16 G , H01L 21/30 502 W , H01L 21/30 502 V

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開平1-107530
露光方法及び露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-285043 Applicant：ソニー株式会社
フォトマスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-286265 Applicant：日本電気株式会社

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Cited by examiner (3)

特開平1-107530
露光方法及び露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-285043 Applicant：ソニー株式会社
フォトマスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-286265 Applicant：日本電気株式会社

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