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J-GLOBAL ID：200903019467539017
トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法、及びその製造用雌型基板、並びにその微小ティップを有するプローブの製造方法とそのプローブ、該プローブを有するプローブユニットと走査型プローブ顕微鏡及び情報記録再生装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996241346
Publication number (International publication number)：1997257811
Application date： Aug. 23, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】再現性が良く、均一な形状が得られると共にマルチ化の容易なトンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法を提供すること。【解決手段】第1基板1の表面に凹部3を形成する工程と、第1基板の凹部を含む基板上に剥離層4を形成する工程と、第1基板の剥離層上に微小ティップ5を形成する工程と、第2基板上に接合層7を形成する工程と、第1基板における凹部を含む剥離層上の微小ティップを、第2基板上の接合層に接合する工程と、第1基板における剥離層と微小ティップの界面で剥離を行い、第2基板上の接合層上に微小ティップを転写する工程と、を少なくともその工程に含み、かつ、剥離層が、金属元素、半金属元素、半導体元素のそれぞれの酸化物あるいは窒化物のいずれかの材料を主成分とする。
Claim (excerpt)：
トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法であって、第1基板の表面に凹部を形成する工程と、前記第1基板の凹部を含む基板上に剥離層を形成する工程と、前記第1基板の剥離層上に微小ティップを形成する工程と、第2基板上に接合層を形成する工程と、前記第1基板における凹部を含む剥離層上の微小ティップを、前記第2基板上の接合層に接合する工程と、前記第1基板における剥離層と微小ティップの界面で剥離を行い、前記第2基板上の接合層上に前記微小ティップを転写する工程と、を少なくともその工程に含み、かつ、前記剥離層が、金属元素、半金属元素、半導体元素のそれぞれの酸化物あるいは窒化物のいずれかの材料を主成分とすることを特徴とする微小ティップの製造方法。
IPC (3)：
G01N 37/00
, G01B 21/30
, G11B 9/00
G01N 37/00 C
, G01N 37/00 A
, G01B 21/30 Z
, G11B 9/00
Cited by applicant (3)
Cited by examiner (3)
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