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J-GLOBAL ID：200903019470580524
冷却機構付きパワーモジュールのその冷却方法
Inventor：
,
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001379231
Publication number (International publication number)：2003179204
Application date： Dec. 12, 2001
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：
【要約】【課題】 パワー素子の発熱により生じる温度分布を抑制し、パワー素子を均一に冷却してパワー素子を破壊させない信頼性の高いパワーモジュールを提供する。【解決手段】 複数のパワー素子1と放熱ベース6と出力端子5と制御端子4からなるパワーモジュールにおいて、熱電変換する熱電半導体素子7aを絶縁基板上に複数の領域に分けて配置した熱電モジュール7をパワー半導体素子1の下面に密着若しくは近接した位置に取り付け、その複数の領域をパワー半導体素子1毎に個別に配置し、その領域毎に素子の搭載数および/又は素子の配置間隔を変えた。
Claim (excerpt)：
複数のパワー半導体素子と放熱ベースと出力端子と制御端子を備えたパワーモジュールにおいて、熱電変換する熱電半導体素子に絶縁基板を設けた熱電モジュールを前記パワー半導体素子の下面に密着若しくは近接した位置に、前記パワー半導体素子毎に配置したことを特徴とする冷却機構付きパワーモジュール。
IPC (3)：
H01L 25/07
, H01L 23/38
, H01L 25/18
H01L 23/38
, H01L 25/04 C
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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