含フッ素重合体、およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺喜平 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999361627
Publication number (International publication number)：2001172327
Application date： Dec. 20, 1999
Publication date： Jun. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 (メタ)アクリル化合物等の熱重合や放射線重合に適するとともに、得られる重合物中へのフッ素原子の導入が容易な含フッ素重合体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 (A)イソシアネート反応性基を有する含フッ素重合体であって、下記一般式(1)で表わされる構造単位を有する含フッ素重合体と、(B)イソシアネート基およびラジカル形成基を有する化合物とを反応してなる含フッ素重合体およびその製造方法等。【化1】[一般式(1)中、R1〜R4は相互に独立であり、水素原子、フッ素原子、塩素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アリール基等であり、R1〜R4のうち少なくとも1つはフッ素原子、またはフッ素原子を含む基である。]

Claim (excerpt)：

下記(I)および(II)の構造単位を含むことを特徴とする含フッ素重合体。(I) 下記一般式(1)で表される含フッ素構造単位(II)ラジカル形成基を含む構造単位【化1】[一般式(1)中、R1〜R4は、相互に独立であって、水素原子、フッ素原子、塩素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アリール基、またはOR5で表わされる基(R5は、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルコキシカルボニルフルオロアルキル基、フルオロアルコキシカルボニルアルキル基、またはフルオロアルコキシカルボニルフルオロアルキル基である。)であり、R1〜R4のうち少なくとも1つは、フッ素原子またはフッ素原子を含む基である。]

IPC (3)：

C08F 14/18 , C08G 71/00 , C08G 77/00

FI (3)：

C08F 14/18 , C08G 71/00 , C08G 77/00

F-Term (87)：

4J034CA04 , 4J034CC07 , 4J034DA01 , 4J034DM01 , 4J034DM12 , 4J034DP14 , 4J034FA01 , 4J034FA04 , 4J034FB01 , 4J034FB03 , 4J034FB04 , 4J034FC01 , 4J034GA48 , 4J034HA01 , 4J034HA02 , 4J034HA07 , 4J034HA18 , 4J034HB17 , 4J034HC03 , 4J034HC12 , 4J034HC13 , 4J034HC17 , 4J034HC22 , 4J034HC46 , 4J034HC52 , 4J034HC64 , 4J034HC67 , 4J034HC71 , 4J034HC73 , 4J034KB02 , 4J034KC17 , 4J034KD02 , 4J034QA05 , 4J034RA07 , 4J035BA02 , 4J035CA08N , 4J035CA081 , 4J035CA09N , 4J035CA091 , 4J035CA16N , 4J035CA161 , 4J035CA181 , 4J035CA19N , 4J035CA191 , 4J035CA21N , 4J035CA211 , 4J035FB01 , 4J035GA02 , 4J035LA03 , 4J035LB20 , 4J100AB07Q , 4J100AC26P , 4J100AC27P , 4J100AC28P , 4J100AC31P , 4J100AE02Q , 4J100AE03Q , 4J100AE04Q , 4J100AE09Q , 4J100AE10Q , 4J100AE35P , 4J100AE38P , 4J100AE71Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100BA03Q , 4J100BA04P , 4J100BA06H , 4J100BA12H , 4J100BA29Q , 4J100BA31H , 4J100BA31Q , 4J100BA32H , 4J100BA34H , 4J100BA42Q , 4J100BB17P , 4J100BC04Q , 4J100BC43H , 4J100BC49H , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100HA55 , 4J100HC01 , 4J100HC51 , 4J100HC63 , 4J100HC85 , 4J100JA32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開昭55-127416
特開平3-179010
フォトレジスト組成物のための反射防止膜
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-510064 Applicant：クラリアント・インターナショナル・リミテッド

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