半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997030309
Publication number (International publication number)：1998229125
Application date： Feb. 14, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】トリミングによって短絡される構成のヒューズは、レーザビームの照射によって上層絶縁膜を除去しないとトリミングが行われないため、レーザビームのエネルギが小さい場合には有効なトリミングができない。【解決手段】下層絶縁膜2上の同一平面上に対向配置される対をなす導電膜3(3A,3B)を形成し、その上に上層絶縁膜4を形成する。導電膜3A,3Bの対向間隔Lは、上層絶縁膜4の膜厚t4よりも小さくする。レーザビームLBのエネルギが小さい場合でも、上層絶縁膜4を浸食して導電膜3に到達することによって両導電膜3A,3Bを溶融して短絡させることが容易であり、有効なトリミングが実現できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に下層絶縁膜が形成され、この下層絶縁膜上に同一平面上でかつそれぞれの端部が所要の間隔で対向配置されて対をなす導電膜が形成され、これら導電膜上に上層絶縁膜が形成され、前記導電膜の対向間隔が前記上層絶縁膜の膜厚よりも小寸法に形成されていることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭63-048856
特開平3-046256
半導体集積回路用ヒューズ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-234166 Applicant：日本鋼管株式会社

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