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J-GLOBAL ID:200903019600737889
2層配線基板
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
平田 忠雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996272539
Publication number (International publication number):1998125817
Application date: Oct. 15, 1996
Publication date: May. 15, 1998
Summary:
【要約】【課題】 ブラインドビアホールを介して2層配線を接続する構造の2層配線基板において、銅蒸着層で2層配線を接続するものはコイルで連続的に蒸着する高価な装置を使用しないと生産性が悪く、銅めっき層で2層配線を接続するものは導電化処理が必要で製造プロセスが煩雑化する。【解決手段】 銅配線層3を電気めっきの陰極として、電流密度を3A/dmm2 以上で電気めっきを施すことにより、ブラインドビアホール1Aの内壁面に形成された銅めっき層4を介して厚みの異なる銅配線層2と銅配線層3が接続される。
Claim (excerpt):
絶縁性材料で形成される絶縁性基板と、前記絶縁性基板の表面に所定の厚さで設けられた第1の銅配線層と、前記絶縁性基板の裏面に前記所定の厚さより小なる厚さで設けられた第2の銅配線層と、前記第2の銅配線層から前記絶縁性基板を貫通して前記第1の銅配線層の裏面に到達するブラインドビアホールと、前記絶縁性基板の前記裏面の側より施された銅めっきによって前記ブラインドビアホールの内壁面および前記第2の銅配線層上に形成された銅めっき層を有し、前記銅めっき層は前記第1および前記第2の銅配線層を前記ブラインドビアホールの内壁面を介して接続するとともに前記第2の銅配線層と前記銅めっき層の厚さの和を前記所定の厚さに近似させる構成を有することを特徴とする2層配線基板。
IPC (2):
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
FI (2):
H01L 23/12 L
, H01L 21/60 311 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-160921
Applicant:株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
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特開平3-237736
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フィルムキャリア、フィルムキャリアデバイスおよびフィルムキャリアの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-061444
Applicant:三井金属鉱業株式会社
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