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J-GLOBAL ID：200903019601708742

磁気メモリ及びこの磁気メモリにおける半選択マージンを改善するための方法

Inventor： マノジュ・ケイ・バッタチャリーヤ ,  ジェイムス・エイ・ブラッグ
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 奥山 尚一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000220088
Publication number (International publication number)：2001044379
Application date： Jul. 21, 2000
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半選択マージンが改善された磁気メモリを提供する。【解決手段】 磁化容易軸を有するデータ記憶層(データ層62)を各々が含んでいる磁気メモリセル(40〜43)のアレイと、磁気メモリ(10,40)における半選択マージンHMを増大するように予め選択されている前記磁化容易軸に対する配向角度を各々が有している導体(20,21、30,31)のアレイとをそれぞれ具備する。

Claim (excerpt)：

磁化容易軸を有するデータ記憶層を各々が含んでいる磁気メモリセルのアレイと、磁気メモリにおける半選択マージンを増大するように予め選択されている前記磁化容易軸に対する配向角度を各々が有している導体のアレイと、をそれぞれ具備することを特徴とする磁気メモリ。

IPC (2)：

H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (2)：

H01L 27/10 447 ,  H01L 43/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁気抵抗性メモリ構造大フラクション利用
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-508400   Applicant：ノンボラタイルエレクトロニクス,インコーポレイテッド
• 磁気素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-118991   Applicant：株式会社東芝
• 磁気素子、磁気メモリおよび光磁気素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-241567   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及び磁気情報再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-060612   Applicant：株式会社東芝