磁気素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997118991
Publication number (International publication number)：1998308313
Application date： May. 09, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】磁気抵抗変化率が大きく、飽和磁界が小さく、素子抵抗を適当な値に調整することができ、しかもバラツキが小さい安定した特性が得られる磁気素子が求められている。【解決手段】誘電体マトリックス中に分散させた強磁性微粒子を有し、かつ超常磁性を示さない、有限の保磁力を持つグラニュラー磁性膜Fと、強磁性膜Gとを、例えば積層あるいは基板面に沿って配列して構成した強磁性トンネル接合膜を有する磁気素子である。強磁性トンネル接合膜はグラニュラー磁性膜Fを障壁とするものであり、グラニュラー磁性膜Fと強磁性膜Gのうち保磁力が小さい磁性膜のスピンの方向を変化させることにより巨大磁気抵抗効果が発現する。

Claim (excerpt)：

誘電体マトリックス中に分散させた強磁性微粒子を有し、かつ保磁力を持つグラニュラー磁性膜と、前記グラニュラー磁性膜と近接配置された強磁性膜とを具備し、前記グラニュラー磁性膜と前記強磁性膜との間にトンネル電流を流すことを特徴とする磁気素子。

IPC (3)：

H01F 10/00 , G11B 5/39 , H01L 43/08

FI (3)：

H01F 10/00 , G11B 5/39 , H01L 43/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

磁気抵抗効果ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-045507 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-011034 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗トランスデューサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-152321 Applicant：トムソン-セーエスエフ

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