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J-GLOBAL ID：200903019648036874

放射光アブレーションによる透明導電膜の作製方法

Inventor：
三木 秀二郎

About 三木 秀二郎

, 
中山 康之

About 中山 康之


Applicant, Patent owner：
学校法人立命館

About 学校法人立命館


Agent (1)： 渡辺 三彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999210811
Publication number (International publication number)：2001040468
Application date： Jul. 26, 1999
Publication date： Feb. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】 200°C以下の低温でも結晶性の透明導電膜を作製できる、放射光アブレーションによる透明導電膜の作製方法を提供する。【解決手段】 ターゲット基板2上に形成された透明導電膜1からなるターゲットに高真空下で放射光SRを照射し、この放射光SR照射によるアブレーションによって、ターゲットから所定間隔を開けてターゲット基板2と相対向して配置された基板3上に透明導電膜1を堆積させる。
Claim (excerpt)：
ターゲット基板上に形成された透明導電膜からなるターゲットに高真空下で放射光を照射し、この放射光照射によるアブレーションによって、前記ターゲットから所定間隔を開けて前記ターゲット基板と相対向して配置された基板上に透明導電膜を堆積させることを特徴とする放射光アブレーションによる透明導電膜の作製方法。
IPC (3)：
C23C 14/28 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503
FI (3)：
C23C 14/28 ,  C23C 14/08 D ,  H01B 13/00 503 B
F-Term (9)：
4K029AA09 ,  4K029BA10 ,  4K029BA15 ,  4K029BA45 ,  4K029BC09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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