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J-GLOBAL ID:200903019671859039
酸化錫膜のエッチング装置および方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
吉田 勝広 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998374266
Publication number (International publication number):2000199083
Application date: Dec. 28, 1998
Publication date: Jul. 18, 2000
Summary:
【要約】【課題】 酸化錫膜を高速で常に安定的かつ基板面内およびエッチング槽内の広い範囲に渡っで高精度かつ均一にエッチングすることができる装置。【解決手段】 電解還元槽とエッチング槽との2機能を分離して有する酸化錫膜のエッチング装置。
Claim (excerpt):
エッチング液を生成もしくは再生する電解還元槽と、エッチング槽との2機能を分離して有する酸化錫膜のエッチング装置であって、上記電解還元槽が、金属イオンを含有する酸溶液を収納するカソード側液室と該カソード側液室中に配置されたカソードと、電解質溶液を収納するアノード側液室と該アノード側液室中に配置されたアノードと、アノード側液室とカソード側液室とを分離するセパレーターとからなり、上記カソード側液室には、連続的もしくは断続的にカソード側液を供給する液送手段が連結され、かつ上記電解還元槽で還元された還元液を直接もしくは間接に上記エッチング槽へ供給する液送手段を有することを特徴とする酸化錫膜のエッチング装置。
IPC (4):
C23F 1/08 101
, C23F 1/30
, C23F 1/46
, C25F 1/00
FI (4):
C23F 1/08 101
, C23F 1/30
, C23F 1/46
, C25F 1/00 A
F-Term (8):
4K057WA01
, 4K057WB11
, 4K057WE03
, 4K057WE08
, 4K057WE09
, 4K057WM03
, 4K057WM04
, 4K057WN02
Patent cited by the Patent: