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J-GLOBAL ID：200903019737272948

発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子

Inventor：
福世 文嗣

About 福世 文嗣

, 
福満 憲志

About 福満 憲志

, 
内山 直己

About 内山 直己


Applicant, Patent owner：
浜松ホトニクス株式会社

About 浜松ホトニクス株式会社


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003067264
Publication number (International publication number)：2003338468
Application date： Mar. 12, 2003
Publication date： Nov. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】 III-V族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することができる発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 基板1の表面3上にIII-V族化合物半導体からなるn型半導体層17a及びp型半導体層17bが積層されたウェハ2の基板1の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射することにより多光子吸収による改質領域7を形成し、この改質領域7によって、ウェハ2をチップ状に切断するための切断予定ライン5に沿って基板1のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、切断起点領域に沿ってウェハ2を切断する工程を備えることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板の表面上にIII-V族化合物半導体からなる半導体層が積層されたウェハの前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、前記ウェハをチップ状に切断するための切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記切断起点領域に沿って前記ウェハを切断する工程を備える、発光素子の製造方法。
IPC (6)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/00 320 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/00 ,  H01S 5/02 ,  B23K101:40
FI (6)：
B23K 26/00 320 E ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/00 B ,  H01S 5/02 ,  B23K101:40 ,  H01L 21/78 B
F-Term (27)：
4E068AE01 ,  4E068DA10 ,  5F041AA31 ,  5F041AA41 ,  5F041AA42 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F072AB02 ,  5F072JJ08 ,  5F072JJ12 ,  5F072JJ20 ,  5F072PP07 ,  5F072QQ20 ,  5F072RR01 ,  5F072YY06 ,  5F073AA74 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA25 ,  5F073DA31 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
  • 窒化物半導体素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-328665   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 特開平4-111800
  • 特開平4-111800
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