窒化物半導体素子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997328665
Publication number (International publication number)：1999163403
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】紫外域から橙色まで発光可能な発光ダイオードやレーザーダイオード更には、高温においても駆動可能な3-5族半導体素子の製造方法に係わり、特に、歩留まりよく基板上に形成された窒化物半導体素子を分離可能な窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子(110)の製造方法であり、特に半導体ウエハー(100)は第1及び第2の主面を有し第1の主面(111)側及び/又は第2の主面(121)側からレーザーを半導体ウエハー(100)を介して照射し少なくとも基板(101)の第2の主面(121)側及び/又は基板(101)の第1の主面(111)側に形成された焦点にスクライブ・ライン(103)を形成する工程と、スクライブ・ラインに沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子(110)の製造方法であって、前記半導体ウエハー(100)は第1及び第2の主面を有し該第1の主面(111)側及び/又は第2の主面(121)側からレーザーを前記半導体ウエハー(100)を介して照射し少なくとも前記基板(101)の第2の主面(121)側及び/又は前記基板(101)の第1の主面(111)側に形成された焦点にスクライブ・ライン(103)を形成する工程と、前記スクライブ・ラインに沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/301

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/78 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体基板の分割方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-292713 Applicant：日本ビクター株式会社
特開平1-115657
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-100154 Applicant：豊田合成株式会社

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