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J-GLOBAL ID:200903019745104710
コンデンサおよびその作製方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
合田 潔 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996274530
Publication number (International publication number):1997181258
Application date: Oct. 17, 1996
Publication date: Jul. 11, 1997
Summary:
【要約】【課題】 正確な容量値のコンタクト構造を信頼性良く且つ反覆して製造できる方法を提供する。【解決手段】 精密なアナログ金属-金属コンデンサを、次のようにして作製する。第1の金属プレート16を絶縁体層12内に形成する。これは、絶縁体層内にトレンチを形成し、トレンチ内に金属を付着し、半導体デバイスを平坦化する。次に、第1のコンデンサ・プレート上に薄い誘電体層18を付着し、パターニングする。次に、半導体デバイス上に第2の絶縁体層20を付着し、その中に個別開口をエッチングし、第1の絶縁体層および第1の金属プレートを露出させる。金属を、開口内に付着し、平坦化して、コンデンサの第1の金属プレートおよび第2の金属プレートへのコンタクトを形成する。
Claim (excerpt):
半導体デバイス内にコンデンサを作製する方法において、凹部を有する第1の絶縁体層を半導体基板上に形成し、前記凹部内に金属を付着し、前記金属を平坦化して、第1の金属層を形成し、前記第1の金属層上に、誘電体層を形成し、前記誘電体層上に、第2の金属層を形成し、前記第1の金属層と前記第2の金属層とを、互いに電気的に絶縁する、ことを特徴とするコンデンサの作製方法。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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金属配線及びこれを用いた容量構造およびそれらの製造 方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-005681
Applicant:日本電気株式会社
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-140082
Applicant:日本電気株式会社
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特開平2-119170
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特開平2-038055
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特開昭64-004056
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溝型コンデンサ構造及び溝型コンデンサの電極を形成する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-173729
Applicant:ノーザン・テレコム・リミテッド
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薄膜キャパシタの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-083684
Applicant:日本電気株式会社
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特開平4-056264
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多層配線形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-346464
Applicant:ソニー株式会社
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特開平3-211872
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