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J-GLOBAL ID：200903019765413972
半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999244257
Publication number (International publication number)：2000216164
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：
【要約】【課題】 III 族窒化物よりなる半導体層から、該半導体層に欠陥を生じさせることなく、短時間で且つ確実に低抵抗のp型層を得られるようにする。【解決手段】 まず、サファイアよりなる基板11上に、GaNよりなるn型コンタクト層13、AlGaNよりなるn型クラッド層14、InGaNよりなる活性層15、AlGaNよりなる第1のMgドープ層16A及びGaNよりなる第2のMgドープ層17Aを順次成長させる。その後、第2のMgドープ層17Aを形成した基板11を窒素プラズマに40分間程度さらす。その結果、第1のMgドープ層16A及び第2のMgドープ層17AにドープされたアクセプタとなるMgが活性化することにより、第1のMgドープ層16A及び第2のMgドープ層17Aから、それぞれ、低抵抗で且つ結晶性に優れるp型クラッド層16B及びp型コンタクト層17Bを得ることができる。
Claim (excerpt)：
基板の上に、不純物を含むIII 族窒化物よりなる半導体層を形成する第1の工程と、前記基板の温度を約600°C以下に保ちながら、前記半導体層をプラズマにさらすことにより、前記半導体層の導電型をp型とする第2の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/324
, H01L 21/22
, H01L 33/00
H01L 21/324 P
, H01L 21/22 C
, H01L 21/22 E
, H01L 33/00 C
Cited by applicant (3)
Cited by examiner (3)
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