半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安富耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996226768
Publication number (International publication number)：1998070129
Application date： Aug. 28, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の耐湿性の悪化を極力抑止する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上のアルミ合金膜上に反射防止膜を形成した後、レジスト膜6をマスクにして前記反射防止膜を前記レジスト膜6より後退した状態にエッチングする。そして、前記レジスト膜6及び反射防止膜5Aをマスクにしてアルミ合金膜4A及びバリアメタル膜7Aを順次エッチングした後、全面に層間絶縁膜を形成することで、ボイドの発生を防止する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に金属膜を形成する工程と、レジスト膜を介して前記金属膜をパターニングする際にその金属膜の上部角部が前記レジスト膜より後退するようにエッチングする工程と、前記レジスト膜を除去した後に全面に層間絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3213 , H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/88 D , H01L 21/302 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

Al系金属配線構造およびそのパターニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-072364 Applicant：ソニー株式会社
特開平3-110846
ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-223394 Applicant：ソニー株式会社

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