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J-GLOBAL ID：200903019798283659

高分子膜の成長方法

Inventor： 川原 潤 ,  林 喜宏 ,  中野 昭典 ,  清水 三喜男 ,  西川 智寿
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社 ,  日本エー・エス・エム株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998170016
Publication number (International publication number)：2000012532
Application date： Jun. 17, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、有機モノマーを効率良く気化させ、基板上に吹き付けて重合反応を行わせ、成長膜厚の高精度制御を可能とする有機高分子膜の成長方法を提供することを目的とする。【解決手段】 気化制御器内でジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン(DVS-BCB)モノマーを連続供給しながら加熱するとともに、キャリアガスを供給してDVS-BCBモノマーの分圧を飽和蒸気圧より低い状態に保つことで気化させ、DVS-BCBモノマーを含むキャリアガスを該気化制御器から真空排気された反応室に輸送し、該反応室内の加熱基板表面に吹き付けることでDVS-BCB高分子膜を成長させる。

Claim (excerpt)：

有機モノマーを気化制御器に供給する工程と、この気化制御器内で有機モノマーを加熱するとともにキャリアガスを供給し、該有機モノマーの分圧を飽和蒸気圧より低い状態に維持しながら有機モノマーを気化させる工程と、この気化した有機モノマーを含むキャリアガスを前記気化制御器から反応室に輸送し、さらに該反応室内に設置された基板表面に吹き付け、有機モノマーを骨格に含む高分子膜を成長させる工程とを含む高分子膜の成長方法。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/312

FI (2)：

H01L 21/31 B ,  H01L 21/312 A

F-Term (24)：

5F045AA00 ,  5F045AB39 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045BB16 ,  5F045CB05 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EC09 ,  5F045EE03 ,  5F045EE17 ,  5F045EF05 ,  5F045EG08 ,  5F058AA03 ,  5F058AB10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF10 ,  5F058AH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 成膜処理室への液体材料供給装置、その使用方法及びその配管構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-170082   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 処理ガスの供給方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-328282   Applicant：東京エレクトロン株式会社