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J-GLOBAL ID：200903019821170670

半導体加速度センサ

Inventor： 石田 拓郎 ,  上 浩則 ,  齊藤 宏 ,  赤井 澄夫 ,  片岡 万士 ,  西條 隆司 ,  斉藤 誠 ,  粟井 崇善
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 安藤 淳二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000013568
Publication number (International publication number)：2001201514
Application date： Jan. 21, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 撓み部の強度の低下を招くことなく感度の高い半導体加速度センサを提供すること。【解決手段】 ピエゾ抵抗4の抵抗値変化をもとに加速度を検知する半導体加速度センサにおいて、撓み部7の長手方向に直交する断面の形状を、応力の中立面がピエゾ抵抗4を形成した面の反対側に偏るような形状としたことを特徴する。

Claim (excerpt)：

支持部に撓み部を介して揺動自在に支持された重り部と、前記撓み部に前記重り部の揺動により前記撓み部に生じる歪みを検出するピエゾ抵抗を有して、該ピエゾ抵抗の抵抗値変化をもとに加速度を検知する半導体加速度センサにおいて、前記撓み部の長手方向に直交する断面の形状を、応力の中立面がピエゾ抵抗を形成した面の反対側に偏るような形状としたことを特徴する半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84

FI (2)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84 Z

F-Term (7)：

4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA23 ,  4M112CA25 ,  4M112CA36 ,  4M112DA04 ,  4M112EA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体加速度センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-183043   Applicant：株式会社フジクラ
• ロードセル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-288900   Applicant：株式会社イシダ