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J-GLOBAL ID：200903019831427270

半導体装置の製造方法

Inventor： 青山 哲男 ,  長谷見 隆司 ,  菅野 至
Applicant, Patent owner： 三菱瓦斯化学株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995026608
Publication number (International publication number)：1996222574
Application date： Feb. 15, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、ドライエッチング法によって形成された配線パターンの、側壁面に付着した堆積物を、簡単に除去できる方法を提供することにある。【構成】 基板51の上に、高融点金属層52を形成する。高融点金属層52の上に、レジストパターン53を形成する。レジストパターン53をマスクにして、高融点金属層52をドライエッチング法によりパターニングし、それによって、第1の配線パターン54を形成する。レジストパターン53を除去した後、第1の配線パターン54の側壁面に付着している堆積物52aを、アルコール類を含む洗浄剤で洗浄除去する。

Claim (excerpt)：

基板の上に、高融点金属からなる高融点金属層を形成する工程と、前記高融点金属層の上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記高融点金属層をドライエッチング法によりパターニングし、それによって、前記高融点金属からなる第1の配線パターンを形成する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記第1の配線パターンの側壁面をアルコール類を含む洗浄剤で洗浄する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (7)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 N ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ドライエッチングの後処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-006474   Applicant：三菱電機株式会社
• 白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-278657   Applicant：富士通株式会社