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J-GLOBAL ID：200903019901176122

多孔質誘電体の製造方法

Inventor： スチーブン・マッコネル・ゲイツ ,  クリストファー・ブルース・マレイ ,  スン・ショウヘン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
Agent (1)： 坂口 博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000222629
Publication number (International publication number)：2001067963
Application date： Jul. 24, 2000
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本体および表面周辺を通じて均一な誘電特性を有する、低誘電率の多孔質誘電体を製造する方法を提供する。【解決手段】 最初に溶媒と、第1の量の犠牲ナノ粒子と、第2の量の構造ナノ粒子との混合物を調製する。構造ナノ粒子は有機成分を含む。構造ナノ粒子が、犠牲ナノ粒子の点在する格子構造を構成することができるように、混合物を濃縮する。次に、構造ナノ粒子と格子構造の剛性化が可能になるように、構造ナノ粒子を融着させる。次に、格子構造から犠牲ナノ粒子を除去して、格子構造中に空隙を残す。最後に、空隙の表面を疎水性材料でコーティングする。この方法に従って構成した装置についても記載する。

Claim (excerpt)：

多孔質誘電体を製造する方法であって、a)溶媒と、第1の量の犠牲ナノ粒子と、有機成分を含む第2の量の構造ナノ粒子との混合物を調製するステップと、b)前記混合物を濃縮するステップと、c)前記構造ナノ粒子を融着または架橋し、格子構造を形成するステップと、d)前記格子構造から前記犠牲ナノ粒子を除去して、前記格子構造中に空隙を残すステップとを含む方法。

IPC (2)：

H01B 19/00 ,  H01B 17/56

FI (2)：

H01B 19/00 ,  H01B 17/56 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 多孔質膜の形成方法及び多孔質膜の形成材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-029431   Applicant：松下電器産業株式会社
• 多孔質絶縁化合物およびその製法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-552712   Applicant：ジョージア・テック・リサーチ・コーポレーション