半導体装置及び液晶表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安富耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997243054
Publication number (International publication number)：1999087720
Application date： Sep. 08, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 p-SiTFTLCDのp-Siを形成するレーザーアニールにおいて、照射領域の強度の不均一に起因したトランジスタ特性の悪化を防止する。【解決手段】チャンネル幅の大きなサンプリングTFT6が、そのチャンネル幅方向を、基板の辺に対して45°の方向になるように形成されている。レーザーアニール時にp-Si13に結晶化不良領域Rが生じても、個々のTFT6についてはその領域の一部を通過するのみとなり、素子特性の悪化が小さな範囲に抑えられ、表示品位を低下することが防がれる。

Claim (excerpt)：

基板上に半導体素子が複数形成された半導体装置において、前記半導体素子のいくつかまたは全ては、レーザーアニールが施された半導体層中に形成されたチャンネル領域のチャンネル幅がチャンネル長よりも大きく、そのチャンネル幅方向が前記基板の辺方向と異なる方向にされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 , G02F 1/133 550 , G02F 1/136 500 , H01L 27/12 , H01L 21/336

FI (6)：

H01L 29/78 618 C , G02F 1/133 550 , G02F 1/136 500 , H01L 27/12 R , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

レーザアニール方法および液晶表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-211935 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-160258 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-053076 Applicant：シャープ株式会社

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