レーザアニール方法および液晶表示装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮井暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995211935
Publication number (International publication number)：1997061843
Application date： Aug. 21, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】レーザアニール方法における被アニール膜のレーザビームの走査ピッチによる特性変動を抑制する。【解決手段】図1(a)のようにエネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを用いて、このパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さよりパルスレーザビームの走査ピッチPを小さくすることにより、被アニール膜全体に照射される実効エネルギがエネルギ立ち下がり領域で規定されるエネルギ密度で均一化でき、被アニール膜のレーザビームの走査ピッチによる特性変動を抑制できる。

Claim (excerpt)：

被アニール膜にエネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを照射し、このパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さより前記パルスレーザビームの走査ピッチを小さくすることを特徴とするレーザアニール方法。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 627 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

レーザーアニール方法およびレーザー光の照射方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-037705 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
シリコン薄膜の結晶化方法および表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-250681 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平4-282869

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