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J-GLOBAL ID：200903019922371162

高耐圧炭化珪素ダイオードおよびその製造方法

Inventor： 下井田 良雄 ,  金子 佐一郎 ,  田中 秀明 ,  星 正勝 ,  クライソン トロンナムチャイ ,  三原 輝儀 ,  林 哲也
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 和泉 良彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002297032
Publication number (International publication number)：2003318413
Application date： Oct. 10, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】高耐圧な炭化珪素ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】第一の半導体基体である炭化珪素半導体基体100と、炭化珪素半導体基体100とはバンドギャップの異なる第二の半導体層である多結晶シリコン層3からなるヘテロ接合101とを有し、炭化珪素半導体基体100の第一主面側に低濃度N型の多結晶シリコン層3が堆積されており、前記第一主面と対向する前記炭化珪素半導体基体100の第二主面側に金属電極4が形成されている。

Claim (excerpt)：

第一の半導体基体と、前記第一の半導体基体とはバンドギャップの異なる第二の半導体層からなるヘテロ接合を有することを特徴とする高耐圧ダイオード。

IPC (5)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (5)：

H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/91 H ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/48 F

F-Term (25)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA07 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD23 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF10 ,  4M104FF11 ,  4M104FF27 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• SiC半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-268602   Applicant：インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション
• 特開昭63-156367
  
• 電力用半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-257993   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭63-156367
  
• 特開昭63-156367