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J-GLOBAL ID：200903019992080092

化学的機械的研磨処理システム及び半導体装置の製造方法

Inventor： 福島 大 ,  南幅 学 ,  矢野 博之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001099038
Publication number (International publication number)：2002299294
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 CMPを行う際に用いられる研磨布に新規な構造のものを採用することによって研磨速度の向上及びCMP用スラリの長寿命化、安全性の改善を図ることができるCMP処理システム及びこのシステムを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 CMPを行う際に用いられる研磨布113にCMP用スラリ106に含まれる酸化剤111の酸化力を促進させる触媒機能を有する成分(カタラーゼ)112を持たせる。研磨布113上に供給されたスラリ106は研磨布の触媒機能によって活性化され、スラリが活性化されることによって化学的作用が強まり研磨速度は飛躍的に向上する。

Claim (excerpt)：

化学的機械的研磨用スラリを被処理基板に供給する手段と、前記被処理基板を前記化学的機械的研磨用スラリを供給しながら研磨布により化学的機械的研磨する手段とを具備し、前記研磨布は、前記化学的機械的研磨用スラリ中に含まれる酸化剤の酸化力を促進させる触媒作用を有する成分を含有していることを特徴とする化学的機械的研磨処理システム。

IPC (7)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (9)：

H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 E ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 C ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/28 H ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 K

F-Term (50)：

3C047GG15 ,  3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  4M104AA01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD75 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F033HH08 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033WW00 ,  5F033XX34 ,  5F043AA22 ,  5F043DD16 ,  5F043GG03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-044316   Applicant：株式会社東芝
• 金属CMP用の触媒反応性パッド
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-557571   Applicant：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション