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J-GLOBAL ID：200903020039395564

アクティブマトリクス基板の製造方法、およびそのアクティブマトリクス基板

Inventor：
川合 勝博

About 川合 勝博

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山川 真弥

About 山川 真弥

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岡本 昌也

About 岡本 昌也

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片山 幹雄

About 片山 幹雄


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997053085
Publication number (International publication number)：1998010583
Application date： Mar. 07, 1997
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：
【要約】【課題】アクティブマトリクス基板の製造方法において、製造過程で生じる構造欠陥を製造過程で無くせるようにし、製造歩留まりの向上を図る。【解決手段】絶縁基板11上に設けられる多数の第1配線1と、第1配線1を覆う絶縁膜13と、絶縁膜13上に設けられる多数の第2配線2と、第1、第2配線1,2の各交点近傍に設けられる多数の薄膜トランジスタからなるスイッチング素子6と、第1、第2配線1,2の直交交差により生ずるマトリクス状の領域において絶縁膜13上に設けられる多数の画素電極5とを有する構造のアクティブマトリクス基板10の製造方法であって、絶縁膜13を形成した後でその上に画素電極5および第2配線2を形成する前に、絶縁膜13において、画素電極5形成予定領域と第2配線2形成予定領域との間に確保する離間領域や、画素電極5形成予定領域と第1配線1との間に確保する離間領域の少なくともいずれか一方に対応する領域(斜線部分)を除去する。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に互いに平行に所要間隔離してそれぞれ設けられる多数の第1配線と、第1配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に第1配線とそれぞれ直交する方向に互いに平行に所要間隔離してそれぞれ設けられる多数の第2配線と、第1、第2配線の各交点近傍にそれぞれ設けられる多数の薄膜トランジスタからなるスイッチング素子と、第1、第2配線の直交交差により生ずるマトリクス状の領域において絶縁膜上にそれぞれ設けられる多数の画素電極とを有する構造のアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、絶縁膜を形成した後でその上に画素電極および第2配線を形成する前に、絶縁膜において、画素電極形成予定領域と第2配線形成予定領域との間に確保する離間領域や、画素電極形成予定領域と第1配線との間に確保する離間領域の少なくともいずれか一方に対応する領域を除去する、ことを特徴するアクティブマトリクス基板の製造方法。
IPC (4)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786
FI (4)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 612 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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