電解めっき装置および電解めっき方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998114494
Publication number (International publication number)：1999307481
Application date： Apr. 24, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】フェースダウン方式で大気中からめっき槽中のめっき液にウエハを浸漬すると、ウエハ内に形成された微細な凹部に気泡が入り、その気泡中の酸素によりめっき層が酸化されて、抵抗上昇、信頼性の低下を来していた。【解決手段】電解めっき法により金属の成膜を行う電解めっき装置1であって、そのめっき槽21を非酸化性雰囲気内に設置したものである。

Claim (excerpt)：

電解めっき法により金属の成膜を行う電解めっき装置において、該電解めっき装置のめっき槽を非酸化性雰囲気内に設置したことを特徴とする電解めっき装置。

IPC (3)：

H01L 21/288 , C25D 5/00 , C25D 7/12

FI (3)：

H01L 21/288 E , C25D 5/00 , C25D 7/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体素子の製造方法及び製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-117589 Applicant：松下電器産業株式会社
メッキ方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-024529 Applicant：ヤマハ株式会社
特開平4-146624

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