ジルコン酸チタン酸鉛を含むデバイスの作製プロセス

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡部正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999228976
Publication number (International publication number)：2000199049
Application date： Aug. 13, 1999
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、ジルコン酸チタン酸鉛を含むデバイスの作製プロセスを提供する。【解決手段】本発明により、ダイヤモンド基板あるいはシリコン又は白金被覆材料のような他の基板上の方向性あるペロブスカイトPZT層を含むデバイスが実現される。基板上のペロブスカイトテンプレート層上にPZT層を堆積させるために、気相堆積プロセスが用いられる。テンプレート層はPZTに比べ、より容易にペロブスカイト構造で堆積し、ペロブスカイト型でのPZTの核生成と成長を実現する。気相堆積は得られる薄膜の方向性ある構造を促進する。構造は表面音響波デバイスを含む各種デバイス中で有用である。

Claim (excerpt)：

基板の準備;基板上へのテンプレート層の堆積;気相堆積法によるテンプレート層上へのジルコン酸チタン酸鉛層の堆積を含み、ジルコン酸チタン酸鉛層は約50×10-12 ないし約350×10-12 m/Vの圧電係数を示す方向性のあるペロブスカイト層であるデバイスの作製プロセス。

IPC (4)：

C23C 14/08 , C23C 16/40 , H01L 41/187 , H01L 41/24

FI (5)：

C23C 14/08 N , C23C 14/08 K , C23C 16/40 , H01L 41/18 101 D , H01L 41/22 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

緩衝層としてPb/Biを含有しないペロブスカイトを用いたPb/Biを含有する高比誘電率酸化物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-104552 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
配向性強誘電体薄膜素子およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-280168 Applicant：富士ゼロックス株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-007199 Applicant：三星電子株式会社

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