化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小島隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995186167
Publication number (International publication number)：1997015848
Application date： Jun. 29, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】微細加工技術に適した高解像度を有する化学増幅ポジ型レジスト材料を開発する。【構成】酸発生剤として下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基の3位に少なくとも1つの酸不安定基を有するスルホニウム塩を配合する。【化1】(但し、式中R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、OR2は酸不安定基であり、Yは置換又は非置換のアルキルスルホネート又はアリールスルホネートである。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつnとmの和は3である。)

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基の3位に少なくとも1つの酸不安定基を有するスルホニウム塩を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(但し、式中R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、OR2は酸不安定基であり、Yは置換又は非置換のアルキルスルホネート又はアリールスルホネートである。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつnとmの和は3である。)

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

新規なオニウム塩及びそれを用いたポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-242101 Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
特開平4-219757
特開平4-215662

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