Pat

J-GLOBAL ID：200903020100400738

金属フッ化物体とその製造方法

Inventor： 鹿嶋 孝文 ,  上片野 充 ,  社本 尚樹 ,  原田 光一
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (4)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003166469
Publication number (International publication number)：2005001933
Application date： Jun. 11, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】短時間かつ容易に高配向性の金属フッ化物体を製造し得る製造方法と該方法により得られた金属フッ化物体の提供。【解決手段】チョクラルスキー法または浮遊帯域融解法で金属フッ化物単結晶を育成して金属フッ化物体を製造する方法において、前記金属フッ化物単結晶を育成する際、金属フッ化物を融解する加熱手段の少なくとも一部にミリ波加熱を用いることを特徴とする金属フッ化物体の製造方法。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法または浮遊帯域融解法で金属フッ化物単結晶を育成して金属フッ化物体を製造する方法において、加熱手段の少なくとも一部にミリ波加熱を用いることを特徴とする金属フッ化物体の製造方法。

IPC (5)：

C30B29/12 ,  C30B13/24 ,  C30B15/14 ,  C30B30/00 ,  G02B1/02

FI (5)：

C30B29/12 ,  C30B13/24 ,  C30B15/14 ,  C30B30/00 ,  G02B1/02

F-Term (9)：

4G077AA02 ,  4G077BE02 ,  4G077CE03 ,  4G077CE04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG15 ,  4G077EJ03 ,  4G077NE09 ,  4G077PE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• フッ化物単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-316888   Applicant：株式会社トクヤマ
• アニーリング装置及び単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-269412   Applicant：日本結晶光学株式会社
• 特開平4-130082
  
• 特開昭61-197493
  
• フツ化物光フアイバ用プリフオーム製造方法及び製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-181345   Applicant：日本電信電話株式会社
• ミリ波加熱装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-316191   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平4-130082
  
• 特開昭61-197493