半導体装置及びパターン形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：津軽進 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000151234
Publication number (International publication number)：2001332735
Application date： May. 23, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】製造コストを削減を図るとともに、ステップカバレージの向上が図られた半導体装置及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】ITO膜50及びMoCr膜100を形成し、これらITO膜50及びMoCr膜100をドライエッチングする。

Claim (excerpt)：

基板上に第1の金属膜を形成する工程と、前記第1の金属膜に第2の金属膜を積層する工程と、これら第2及び第1の金属膜をパターニングすることにより、ソース電極、ドレイン電極、及びソースバスのパターンを形成する工程とを備えたパターン形成方法であって、前記ソース電極、ドレイン電極、及びソースバスのパターンを形成する工程が、前記第2の金属膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を形成する工程終了後、前記第2及び第1の金属膜をドライエッチングする第1のエッチング工程とを備えたことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/3065 , H01L 21/306

FI (5)：

H01L 29/78 627 C , H01L 21/302 L , H01L 21/306 F , H01L 29/78 616 T , H01L 29/78 616 K

F-Term (31)：

5F004AA11 , 5F004BA04 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA26 , 5F004DB08 , 5F004DB31 , 5F004EB02 , 5F043AA27 , 5F043BB18 , 5F043DD15 , 5F043FF03 , 5F043GG02 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HM02 , 5F110HM03 , 5F110NN46 , 5F110QQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-358628 Applicant：エルジーセミコンカンパニーリミテッド
特開平4-198923
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-084798 Applicant：株式会社日立製作所

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