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J-GLOBAL ID:200903020248089039
フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
後藤 幸久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001359905
Publication number (International publication number):2003160612
Application date: Nov. 26, 2001
Publication date: Jun. 03, 2003
Summary:
【要約】【課題】 耐エッチング性に優れ、微細なパターンを精度よく形成できるフォトレジスト用高分子化合物を得る。【解決手段】 少なくとも1種のビニルエーテル化合物、又は少なくとも1種のビニルエーテル化合物と他の重合性化合物とを単独又は共重合することにより得られるフォトレジスト用高分子化合物。前記ビニルエーテル化合物の少なくとも1種は脂環式炭化水素構造を有するのが好ましい。脂環式炭化水素構造には、例えば、シクロヘキサン環、アダマンタン環、ノルボルナン環、イソボルナン環、トリシクロデカン環、テトラシクロドデカン環などが含まれる。脂環式炭化水素構造は、例えば、ヒドロキシル基、オキソ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基又はラクトン環式基などの極性官能基で置換されていてもよい。
Claim (excerpt):
少なくとも1種のビニルエーテル化合物、又は少なくとも1種のビニルエーテル化合物と他の重合性化合物とを単独又は共重合することにより得られるフォトレジスト用高分子化合物。
IPC (4):
C08F 16/14
, G03F 7/033
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
FI (4):
C08F 16/14
, G03F 7/033
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
F-Term (26):
2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB41
, 2H025CB43
, 2H025CB45
, 2H025FA17
, 4J100AD07P
, 4J100BA11P
, 4J100BC03P
, 4J100BC09P
, 4J100BC12P
, 4J100BC53P
, 4J100BC55P
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100JA37
Patent cited by the Patent:
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