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J-GLOBAL ID：200903033925965104

フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物

Inventor： 後河内 透 ,  沖野 剛史 ,  浅川 鋼児 ,  信田 直美 ,  舩木 克典 ,  堤 聖晴 ,  宝来 晃
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  ダイセル化学工業株式会社
Agent (1)： 後藤 幸久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000049549
Publication number (International publication number)：2001240625
Application date： Feb. 25, 2000
Publication date： Sep. 04, 2001
Summary：

【要約】【課題】 基板に対する密着性に優れ、且つ微細なパターンを精度よく形成できるフォトレジスト用高分子化合物を得る。【解決手段】 本発明のフォトレジスト用高分子化合物は、下記式(Ia)及び(Ib)【化1】(式中、R1、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf及びRgは、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を示し、X1、X2及びX3は-CH2-又は-CO-O-を示す。X1、X2及びX3のうち少なくとも1つは-CO-O-である。m、p及びqはそれぞれ0〜2の整数を示す)で表されるモノマー単位から選択された少なくとも1種のモノマー単位を含む。

Claim (excerpt)：

下記式(Ia)及び(Ib)【化1】(式中、R1、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf及びRgは、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を示し、X1、X2及びX3は-CH2-又は-CO-O-を示す。X1、X2及びX3のうち少なくとも1つは-CO-O-である。m、p及びqはそれぞれ0〜2の整数を示す)で表されるモノマー単位から選択された少なくとも1種のモノマー単位を含むフォトレジスト用高分子化合物。

IPC (9)：

C08F220/28 ,  C08F220/06 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  C08F232/08 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/14 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (9)：

C08F220/28 ,  C08F220/06 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  C08F232/08 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/14 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (61)：

2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  4J002BB161 ,  4J002BG011 ,  4J002BG071 ,  4J002BH021 ,  4J002EB006 ,  4J002EE056 ,  4J002EQ016 ,  4J002EU026 ,  4J002EU186 ,  4J002EV216 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002EV326 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J100AJ02R ,  4J100AK32R ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AR09P ,  4J100AR11Q ,  4J100AR11R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15Q ,  4J100BA16R ,  4J100BA20Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA39 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 感光性組成物及びパタ-ン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-070591   Applicant：株式会社東芝
• フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-024527   Applicant：ダイセル化学工業株式会社
• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-030542   Applicant：信越化学工業株式会社