新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：本多一郎 , 本多敬子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003397788
Publication number (International publication number)：2005154371
Application date： Nov. 27, 2003
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：

【課題】有機半導体材料に求められている高い電界効果移動度(0.1cm2/Vs以上)と、高いオン/オフ電流比(105以上)の双方を満足する新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その実用材料としての製造および精製が容易な製造方法、およびそれを用いた有機半導体デバイスを提供する。【解決手段】次の一般式(1)、または、次の一般式(2)、(式中、X1〜X4はそれぞれ独立にセレン原子またはテルル原子である)で表されるベンゾジカルコゲノフェン誘導体である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

次の一般式(1)、

IPC (5)：

C07D333/50 , C07D345/00 , H01L29/786 , H01L51/00 , H05B33/14

FI (5)：

C07D333/50 , C07D345/00 , H05B33/14 A , H01L29/78 618B , H01L29/28

F-Term (20)：

3K007AB05 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA16 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110EE08 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

有機分子配向薄膜用材料及び有機分子配向薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-300149 Applicant：富士電機株式会社
薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ用半導体材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-295074 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

Bull. Soc. Chim. Belg., 1991, Vol.100, No.1, pp.1-4
Heterocycles, 1985, Vol.23, No.1, pp.81-92
Advanced organic chemistry, 1985, pp.1028-1032

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