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J-GLOBAL ID：200903020280335700

パルスRFプラズマを用いたTEOS酸化物の堆積

Inventor： ハルヒロ エイチ. ゴトウ ,  タカコ タケハラ ,  カール エー. ソレンセン ,  ウィリアム アール. ハーシュバーガー ,  カム エス. ロウ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001109076
Publication number (International publication number)：2002060945
Application date： Apr. 06, 2001
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ増強化学気相成長とTEOSを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。【解決手段】 該方法には、TEOS酸化物プラズマを生成するために用いられる高周波パルス電源を供給することにより、基板上の二酸化ケイ素の堆積速度を制御するステップが含まれる。得られた二酸化ケイ素膜は、薄膜トランジスタを形成する応用において電気的及び機械的膜特性が良好である。

Claim (excerpt)：

二酸化ケイ素膜の製造方法であって、前記方法は:TEOS前駆体と酸素をプラズマ状態におくステップと;該TEOSガスを活性種に分解するステップと;該プラズマ中で該TEOSと酸素イオン又は酸素ラジカルとを反応させるステップと;該活性種を基板上に堆積するステップと;を含み、該TEOS酸化物プラズマを生成するエネルギーが供給時間間隔で間欠的に供給される、方法。

IPC (2)：

C23C 16/40 ,  H01L 21/31

FI (2)：

C23C 16/40 ,  H01L 21/31 C

F-Term (20)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA12 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045CA15 ,  5F045DP09 ,  5F045EB02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ヘリコン波プラズマ装置およびこれを用いたプラズマCVD方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-148315   Applicant：ソニー株式会社
• 絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-082583   Applicant：日本真空技術株式会社