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J-GLOBAL ID:200903020307534424
レジスト材料及びパターン形成方法
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000108838
Publication number (International publication number):2001296659
Application date: Apr. 11, 2000
Publication date: Oct. 26, 2001
Summary:
【要約】【解決手段】 ベース樹脂、酸発生剤、溶剤及び塩基性化合物を含有するレジスト材料において、塩基性化合物が多環式化合物であって、環内に窒素原子を1個だけ含む化合物であることを特徴とするレジスト材料。【効果】 本発明のレジスト材料は、特にArFエキシマレーザーリソグラフィーにおいて、感度、解像性に優れ、また厚膜化が可能なためエッチングにも有利であるために、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。
Claim (excerpt):
ベース樹脂、酸発生剤、溶剤及び塩基性化合物を含有するレジスト材料において、塩基性化合物が多環式化合物であって、環内に窒素原子を1個だけ含む化合物であることを特徴とするレジスト材料。
IPC (6):
G03F 7/039 601
, C08K 5/3412
, C08L101/00
, C08L101/02
, G03F 7/004 501
, H01L 21/027
FI (6):
G03F 7/039 601
, C08K 5/3412
, C08L101/00
, C08L101/02
, G03F 7/004 501
, H01L 21/30 502 R
F-Term (52):
2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BF02
, 2H025CB10
, 2H025CB14
, 2H025CB43
, 2H025CB45
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 4J002AA001
, 4J002AA031
, 4J002BG011
, 4J002BH021
, 4J002BK001
, 4J002CE001
, 4J002EC037
, 4J002ED027
, 4J002EE037
, 4J002EF118
, 4J002EH037
, 4J002EH157
, 4J002EN018
, 4J002EN058
, 4J002EN098
, 4J002EN118
, 4J002EP018
, 4J002EQ016
, 4J002ES016
, 4J002EU028
, 4J002EU048
, 4J002EU078
, 4J002EU118
, 4J002EU128
, 4J002EU138
, 4J002EU148
, 4J002EU228
, 4J002EU238
, 4J002EV088
, 4J002EV216
, 4J002EV246
, 4J002EV328
, 4J002FD206
, 4J002FD207
, 4J002FD208
, 4J002GP03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特表平7-508840
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レジスト及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-130694
Applicant:富士通株式会社
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化学増幅型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-096173
Applicant:協和醗酵工業株式会社
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