半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000381249
Publication number (International publication number)：2002185040
Application date： Dec. 15, 2000
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】工程数も増加させずに貫通転位などの結晶欠陥を低減できる半導体発光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】基板10の主面上にウルツ鉱型の化合物半導体層11をその表面に段差14を有するように形成し、段差14を含んだ化合物半導体層11の表面に結晶成長によって基板10の主面に対して傾斜した傾斜面16を有するファセット構造を有する結晶成長層15を形成してから、傾斜面16に平行に延在される領域に第1導電型クラッド層、活性層、および第2導電型クラッド層を形成する。

Claim (excerpt)：

ウルツ鉱型化合物半導体層の表面に段差を形成し、結晶成長によって前記表面上に傾斜面を有する結晶成長層を形成し、前記傾斜面に略平行に第1導電型クラッド層、活性層、および第2導電型クラッド層を形成してなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 5/323

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 5/323

F-Term (35)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA75 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F045DB04 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB19 , 5F073CB22 , 5F073DA04 , 5F073DA05 , 5F073DA21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体レーザ装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-061968 Applicant：新日本製鐵株式会社
スーパールミネッセントダイオード素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-320336 Applicant：シャープ株式会社
窒化物半導体構造とその製法および発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-216110 Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (3)

半導体レーザ装置及びその製造方法
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