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J-GLOBAL ID：200903020471213850

インジウム系酸化物微粒子およびその製造方法、ならびにインジウム系酸化物微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材、表示装置

Inventor： 俵 迫 祐 二 ,  金 南 憲 ,  平 井 俊 晴
Applicant, Patent owner： 触媒化成工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 俊一郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002133213
Publication number (International publication number)：2003327428
Application date： May. 08, 2002
Publication date： Nov. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】帯電防止性、反射防止性および電磁遮蔽性等に優れるとともに、被膜の強度、透明性にも優れた透明導電性被膜の形成に用いることのできるインジウム系酸化物微粒子を提供する。【解決手段】X線回折パターンにおいて、少なくともインジウム酸化物に帰属される面指数(2,2,2)におけるピーク(PA)およびインジウム水酸化物に帰属される面指数(2,0,0)におけるピーク(PB1)、面指数(2,2,0)におけるピーク(PB2)を有し、ピーク(PB2)のピーク高(HPB2)とピーク(PA)のピーク高(HPA)との比(HPB2)/(HPA)が1/2以下であるインジウム系酸化物微粒子。下記の工程からなるインジウム系酸化物微粒子の製造方法;(a)インジウム系水酸化物の有機溶媒分散液を調製する工程、(b)前記有機溶媒分散液を120〜400°Cの温度範囲で加熱処理する工程、または、(a')インジウム系水酸化物とインジウム系酸化物種粒子との有機溶媒混合分散液を調製する工程、(b)インジウム系水酸化物の有機溶媒分散を120〜400°Cの温度範囲で加熱処理する工程。

Claim (excerpt)：

X線回折パターンにおいて、少なくともインジウム酸化物に帰属される面指数(2,2,2)におけるピーク(PA)およびインジウム水酸化物に帰属される面指数(2,0,0)におけるピーク(PB1)、面指数(2,2,0)におけるピーク(PB2)を有し、ピーク(PB2)のピーク高(HPB2)とピーク(PA)のピーク高(HPA)との比(HPB2)/(HPA)が1/2以下であることを特徴とするインジウム系酸化物微粒子。

IPC (7)：

C01G 15/00 ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 ,  C01G 19/00 ,  C09D 1/00 ,  C09D 5/24

FI (7)：

C01G 15/00 B ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 A ,  C01G 19/00 A ,  C09D 1/00 ,  C09D 5/24

F-Term (35)：

4F100AA17B ,  4F100AA33B ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100DE01B ,  4F100GB41 ,  4F100JD08 ,  4F100JG01B ,  4F100JM01 ,  4F100JN01B ,  4F100JN01C ,  4F100JN18C ,  4J038DL031 ,  4J038HA156 ,  4J038HA211 ,  4J038JA19 ,  4J038JA20 ,  4J038JA25 ,  4J038JA26 ,  4J038JA27 ,  4J038JA30 ,  4J038JA33 ,  4J038JA54 ,  4J038JA55 ,  4J038JA56 ,  4J038KA06 ,  4J038KA08 ,  4J038KA12 ,  4J038KA20 ,  4J038NA20 ,  4J038PB09 ,  4J038PB11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (17)

• 特開平1-290527
  
• 酸化インジウムオルガノゾル、その製造方法および導電性被膜付基材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-097157   Applicant：触媒化成工業株式会社
• コントロールレバーの調整装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-171931   Applicant：スズキ株式会社, イオインダストリー株式会社
• 酸化インジウムゾル、その製造方法および導電性被膜付基材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-278148   Applicant：触媒化成工業株式会社
• インジウム-スズ酸化物からなる部材およびその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-183968   Applicant：ヴェー・ツェー・ヘレウス・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
• 特開平4-325415
  
• 特開昭62-007627
  
• 特開昭61-183809
  
• 透明導電膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-228590   Applicant：シャープ株式会社
• 透明導電性膜用塗料とその製造方法、ならびに透明導電性膜とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-047179   Applicant：日立マクセル株式会社
• 酸化インジウム粉末及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-246426   Applicant：東ソー株式会社
• 空格子点に位置および濃度制御してドーパントを導入した化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-123829   Applicant：科学技術振興事業団
• 導電性酸化物粒子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-348280   Applicant：日産化学工業株式会社
• インジウム系酸化物微粒子、該微粒子の製造方法ならびに該微粒子を含んでなる透明導電性被膜形成用塗布液および透明導電性被膜付基材、表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-064269   Applicant：触媒化成工業株式会社
• In2O3-SnO2系薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-153020   Applicant：株式会社関西新技術研究所
• ITO粉末の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-260464   Applicant：稀産金属株式会社
• Sn含有In酸化物とその製造方法およびそれを用いた塗料ならびに導電性塗膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-245701   Applicant：同和鉱業株式会社

Cited by examiner (6)

• 特開平1-290527
  
• 酸化インジウムオルガノゾル、その製造方法および導電性被膜付基材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-097157   Applicant：触媒化成工業株式会社
• コントロールレバーの調整装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-171931   Applicant：スズキ株式会社, イオインダストリー株式会社
• 酸化インジウムゾル、その製造方法および導電性被膜付基材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-278148   Applicant：触媒化成工業株式会社
• インジウム-スズ酸化物からなる部材およびその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-183968   Applicant：ヴェー・ツェー・ヘレウス・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
• 特開平4-325415
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Nanosize Indium Hydroxide by Peptization of Colloidal Precipitates