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J-GLOBAL ID：200903038387827431

インジウム-スズ酸化物からなる部材およびその製造法

Inventor： ミヒャエル・ヘルマン ,  デイヴィッド・フランシス・ラプトン ,  イェルグ・シールケ ,  フリートホルト・シェルツ
Applicant, Patent owner： ヴェー・ツェー・ヘレウス・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995183968
Publication number (International publication number)：1996067517
Application date： Jul. 20, 1995
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【課題】 高い密度及び破壊強度を有し、高いスパッター速度が可能で且つ同時に良好な光透過性及び高導電率を有するITO-層の製造に適したインジウム-スズ酸化物からなる部材、およびその製造法を提供する。【解決手段】 焼結された酸化物粒子の平均粒度が2〜20μmであり且つ密度が理論密度の95%以上であるインジウム-スズ酸化物からなり、少なくとも97重量%の該酸化物粒子が混晶としてインジウム酸化物の結晶格子中に存在することを特徴とする部材。インジウム酸化物及びスズ酸化物からなる混晶相を含有する混晶粉末からなる未加工体を成形し、1100°C以下の温度で焼結する。

Claim (excerpt)：

焼結された酸化物粒子の平均粒度が2μm以上であり且つ密度が理論密度の95%以上であるインジウム-スズ酸化物からなる部材において、少なくとも97重量%の該酸化物粒子が混晶としてインジウム酸化物の結晶格子中に存在することを特徴とする部材。

IPC (3)：

C01G 19/00 ,  H01B 13/00 503 ,  C23C 14/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 高密度ITO焼結体及びスパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-143652   Applicant：東ソー株式会社
• ITO焼結体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-241396   Applicant：東ソー株式会社
• 酸化インジウム-酸化錫スパッタリングターゲットの製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-168529   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 高密度ITO焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-353102   Applicant：東ソー株式会社