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J-GLOBAL ID：200903020489819259

低誘電率の絶縁膜製造方法

Inventor： ジン・ウン・バク ,  ヨン・ヒ・リ ,  ドン・スン・キム
Applicant, Patent owner： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997278460
Publication number (International publication number)：1998125674
Application date： Oct. 13, 1997
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 金属層間絶縁膜としての使用に適するようにした低誘電率の絶縁膜を提供すること。【解決手段】 本発明は、二重周波数プラズマ反応炉にフッ素と炭素の含有された第1ソースガスと、シリコン酸化膜を含んだ第2ソースガスを供給して、前記反応炉に配置した基板上にフルオルカーボン/シリコン酸化膜を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

二重周波数プラズマ反応炉に、フッ素と炭素の含有された第1ソースガスと、シリコン酸化膜を含んだ第2ソースガスを供給して、前記反応炉に配置した基板上にフルオロカーボン/シリコン酸化膜を形成させることを特徴とする低誘電率の絶縁膜製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/314

FI (5)：

H01L 21/316 M ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/314 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• フッ素含有シリコン酸化膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-059798   Applicant：東亞合成株式会社
• 半導体基板のサブミクロンのギャップを充填するための方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-015895   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド