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J-GLOBAL ID：200903020648722164

EL素子およびその製造方法

Inventor： 内藤 将 ,  井ノ口 和宏 ,  甲村 司
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997348235
Publication number (International publication number)：1999185969
Application date： Dec. 17, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 素子破壊、コントラストの低下といった不具合を生じることなく、素子の高輝度化を図る。【解決手段】 基板1上に、第1電極としてのITO電極2、第1絶縁層としてのTa/Sn/O複合酸化膜3、ZnS:Tb発光層4、第2絶縁層としてのSiON膜5aとTa/Sn/O複合酸化膜5b、および第2電極としてのAl背面電極6を積層して形成されたEL素子であって、第1絶縁層としてのTa/Sn/O複合酸化膜3の表面に、高さが100〜400nmの複数の凹凸3aを形成した。

Claim (excerpt)：

少なくとも、基板と、この基板に近い順に、第1電極、絶縁層、発光層、第2電極を備えてなるEL素子において、前記絶縁層と前記発光層の界面に凹凸を形成したことを特徴とするEL素子。

IPC (2)：

H05B 33/22 ,  H05B 33/10

FI (2)：

H05B 33/22 Z ,  H05B 33/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 特開平1-315992
  
• 特開平3-119689
  
• エレクトロルミネツセンス表示パネルの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-266578   Applicant：富士電機株式会社
• 特開平1-315992
  
• 特開平3-225791
  
• 誘電体薄膜および誘電体薄膜を用いた薄膜EL素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-173700   Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
• 薄膜電場発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-226886   Applicant：富士電機株式会社
• 特開昭64-043996
  
• 特開昭62-249392