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J-GLOBAL ID：200903020657451459

半導体装置の作製方法

Inventor：
小山 潤

About 小山 潤


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999371933
Publication number (International publication number)：2000252474
Application date： Dec. 27, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 結晶性半導体膜から結晶化を促進する元素を効率よく除去する。【解決手段】 非晶質シリコン膜、微結晶シリコン膜等でなる半導体膜12に接してNi膜13を形成する。半導体膜12を450〜650°Cで加熱してNiを移動させ結晶質半導体膜15を形成する。次に、結晶質半導体膜15に結晶化促進元素をソース領域となる領域及びドレイン領域となる領域に選択的に添加して、15族元素添加領域15aを形成する。次に500〜850°Cで加熱して、被ゲッタリング領域15bに残存した結晶化促進元素を15族元素添加領域15aに吸い取らせる。
Claim (excerpt)：
半導体装置の作製方法であって、半導体膜を形成する工程Aと、前記半導体膜に結晶化を促進する元素を導入する工程Bと、前記結晶化を促進する元素を導入した後、前記半導体膜を結晶化する工程Cと、結晶化された半導体膜に選択的に15族元素を添加する工程Dと、前記15族元素を添加した後、前記半導体膜を加熱処理する工程Eと、前記半導体膜をパターニングして島状半導体層を形成する工程Fと、を有し、前記パターニングは、前記15族元素が添加された領域がソース領域およびドレイン領域となるように、かつ前記15族元素が添加されなかった領域がチャネル形成領域又はチャネル形成領域と低濃度不純物領域となるように行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 21/20
FI (4)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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