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J-GLOBAL ID：200903020715940651

物理量センサ

Inventor：
長浜 英雄

About 長浜 英雄


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (2)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005111219
Publication number (International publication number)：2006292478
Application date： Apr. 07, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：
【課題】従来に比べて高感度化が可能な物理量センサを提供する。 【解決手段】第1のシリコン基板を用いて形成され一表面側に絶縁膜2を有するセンサ用構造体1と、センサ用構造体1の上記一表面側に配置されそれぞれカーボンナノチューブCNTからなる2個のゲージ抵抗R1,R3および2個の基準抵抗R2,R4と、第2のシリコン基板を用いて形成されセンサ用構造体1の上記一表面側に固着されたカバー7とを備える。カーボンナノチューブCNTは、センサ用構造体1の上記一表面上に突設した対となる支持台部3,3間に架設されている。カバー7には、ゲージ抵抗R1,R3を構成するカーボンナノチューブCNTの中間部に当接しセンサ用構造体1に圧力が働いていない状態でカーボンナノチューブCNTの中間部を押圧して折曲させるバイアス部7bを備える。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
検出対象の物理量をゲージ抵抗のひずみによる抵抗値の変化として検出する物理量センサであって、ゲージ抵抗が、センサ用構造体の一表面側において突設した対となる支持台部間に架設されたカーボンナノチューブからなり、センサ用構造体の前記一表面側に、センサ用構造体に力が働いていない状態でゲージ抵抗を構成するカーボンナノチューブの中間部を押圧し当該カーボンナノチューブの中間部を折曲させるバイアス部を備えることを特徴とする物理量センサ。
IPC (3)：
G01B 7/16 ,  G01L 9/00 ,  G01P 15/12
FI (3)：
G01B7/18 G ,  G01L9/00 303C ,  G01P15/12 D
F-Term (12)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE11 ,  2F055FF11 ,  2F055GG12 ,  2F063AA25 ,  2F063CA09 ,  2F063DA02 ,  2F063EC03 ,  2F063EC09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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